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MUN5230DW1T1G.
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.069 |
| 6000+ | $ 0.062 |
| 18000+ | $ 0.054 |
| 30000+ | $ 0.046 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 207.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMUN5230DW1T1G.Cópia
Código Newark27AC9493
Ficha técnica
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R11kohm
Base Emitter Resistor R21kohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min3hFE
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
1kohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
3hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
1kohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para MUN5230DW1T1G.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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