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MUN5215DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMUN5215DW1T1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo88H4936
Segmento de fita84K8821
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 9000 | $ 0.082 | $ 738.00 |
| Total Preço | $ 738.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 9000+ | $ 0.082 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 9000+ | $ 0.058 |
| 18000+ | $ 0.051 |
| 30000+ | $ 0.044 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMUN5215DW1T1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo88H4936
Segmento de fita84K8821
Ficha técnica
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R2-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min160hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
-
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
160hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para MUN5215DW1T1G
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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