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MMBT5089LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBT5089LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante46 semanas
Código Newark
Rolo completo67R1343
Rodo à Medida98H0755RL
Segmento de fita98H0755
Gama de produtosMMBTxxxx Series
Seu número de peça
227,763 Em Estoque
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Encomendar antes das 20:00, envio normal
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.208 | $ 0.21 |
| Total Preço | $ 0.21 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.208 |
| 25+ | $ 0.130 |
| 50+ | $ 0.107 |
| 100+ | $ 0.084 |
| 250+ | $ 0.074 |
| 500+ | $ 0.063 |
| 1000+ | $ 0.056 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.043 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBT5089LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante46 semanas
Código Newark
Rolo completo67R1343
Rodo à Medida98H0755RL
Segmento de fita98H0755
Gama de produtosMMBTxxxx Series
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo25V
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation Pd225mW
Power Dissipation225mW
DC Collector Current50mA
DC Current Gain hFE1200hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min1200hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The MMBT5089LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Aplicações
Industrial, Power Management, Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
25V
Power Dissipation Pd
225mW
DC Collector Current
50mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
1200hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
25V
Continuous Collector Current
50mA
Power Dissipation
225mW
DC Current Gain hFE
1200hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMBT5089LT1G
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto