Imprimir página
MMBT3904LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBT3904LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo83K0942
Rodo à Medida83H7337RL
Segmento de fita83H7337
Gama de produtosMMBTxxxx Series
Seu número de peça
75,734 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.126 | $ 0.13 |
| Total Preço | $ 0.13 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.126 |
| 25+ | $ 0.081 |
| 50+ | $ 0.066 |
| 100+ | $ 0.052 |
| 250+ | $ 0.046 |
| 500+ | $ 0.039 |
| 1000+ | $ 0.035 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.027 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBT3904LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo83K0942
Rodo à Medida83H7337RL
Segmento de fita83H7337
Gama de produtosMMBTxxxx Series
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation300mW
Power Dissipation Pd300mW
DC Collector Current200mA
DC Current Gain hFE300hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
MMBT3904LT1G is a NPN silicon, surface mount, general purpose transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Collector cutoff current is 50nAdc max (VCE = 30VDC, VEB = 3.0Vdc)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100µADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Power Dissipation
300mW
DC Collector Current
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
300mW
DC Current Gain hFE
300hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMBT3904LT1G
8 produtos encontrados
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto