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MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBFJ309LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante47 semanas
Código Newark
Rolo completo29X6096
Rodo à Medida45J1519RL
Segmento de fita45J1519
Seu número de peça
964 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 0.255 | $ 0.26 |
| Total Preço | $ 0.26 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.255 |
| 50+ | $ 0.168 |
| 100+ | $ 0.148 |
| 250+ | $ 0.138 |
| 500+ | $ 0.133 |
| 1000+ | $ 0.128 |
| 2500+ | $ 0.125 |
| 5000+ | $ 0.123 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.153 |
| 6000+ | $ 0.137 |
| 12000+ | $ 0.125 |
| 18000+ | $ 0.118 |
| 30000+ | $ 0.110 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBFJ309LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante47 semanas
Código Newark
Rolo completo29X6096
Rodo à Medida45J1519RL
Segmento de fita45J1519
Ficha técnica
Descrição geral do produto
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Aplicações
Industrial, Power Management
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMBFJ309LT1G
2 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto