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MMBD301LT1G
RF Schottky Diode, Barrier, Single, 30 V, 200 mA, 450 mV, 0.9 pF, SOT-23
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBD301LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante46 semanas
Código Newark
Rolo completo85W2813
Rodo à Medida88H4772RL
Segmento de fita88H4772
Seu número de peça
5,176 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 0.118 | $ 0.12 |
| Total Preço | $ 0.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.118 |
| 50+ | $ 0.057 |
| 100+ | $ 0.050 |
| 250+ | $ 0.046 |
| 500+ | $ 0.044 |
| 1000+ | $ 0.042 |
| 2500+ | $ 0.041 |
| 5000+ | $ 0.040 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 9000+ | $ 0.035 |
| 27000+ | $ 0.034 |
| 45000+ | $ 0.033 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBD301LT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante46 semanas
Código Newark
Rolo completo85W2813
Rodo à Medida88H4772RL
Segmento de fita88H4772
Ficha técnica
Descrição geral do produto
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
- 15ps Extremely low minority carrier lifetime
- 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
- 13nA DC Low reverse leakage IR
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Aplicações
RF Communications, Sensing & Instrumentation, Industrial
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMBD301LT1G
3 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto