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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMJ11033GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark26K4508
Seu número de peça
907 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.850 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 9.85
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMJ11033GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark26K4508
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Collector Emitter Voltage Max120V
Power Dissipation Pd300W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current50A
Power Dissipation300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE18000hFE
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
DC Current Gain hFE Min18000hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The MJ11033G is a PNP Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Diode protection to rated IC
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
120V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
300W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
18000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
18000hFE
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Power Dissipation Pd
300W
Continuous Collector Current
50A
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
Transistor Case Style
TO-3
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (1)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
