Imprimir página
MJ11015G
Darlington Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMJ11015GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark26K4504
Seu número de peça
81 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.360 |
| 10+ | $ 5.990 |
| 25+ | $ 5.870 |
| 50+ | $ 5.750 |
| 100+ | $ 5.630 |
| 250+ | $ 5.510 |
| 500+ | $ 5.390 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 8.36
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMJ11015GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark26K4504
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Collector Emitter Voltage Max120V
Continuous Collector Current30A
Transition Frequency-
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current30A
Power Dissipation200W
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleTO-3
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
- Collector current (Ic) of -30A
- Power dissipation of 200W
- Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
- Collector emitter breakdown Voltage of -120V
- Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current
Aplicações
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
120V
Transition Frequency
-
DC Collector Current
30A
RF Transistor Case
TO-3
Transistor Case Style
TO-3
Transistor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE
1000hFE
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para MJ11015G
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos