Imprimir página
MGSF2N02ELT1G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.8 A, 85 mohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMGSF2N02ELT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo83H7320
Rodo à Medida09R9428RL
Segmento de fita09R9428
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
Avise-me quando houver novamente em estoque
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.186 | $ 558.00 |
| Total Preço | $ 558.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.186 |
| 9000+ | $ 0.182 |
| 15000+ | $ 0.179 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.155 |
| 9000+ | $ 0.145 |
| 15000+ | $ 0.142 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMGSF2N02ELT1GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo83H7320
Rodo à Medida09R9428RL
Segmento de fita09R9428
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.8A
Drain Source On State Resistance85mohm
On Resistance Rds(on)0.078ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The MGSF2N02ELT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Miniature surface-mount package saves board space
- IDSS Specified at elevated temperature
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.25W
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
On Resistance Rds(on)
0.078ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para MGSF2N02ELT1G
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos