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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteHUF75652G3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark58K1615
Seu número de peça
2,700 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10+ | $ 6.130 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 60
Vários: 30
$ 367.80
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteHUF75652G3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark58K1615
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id75A
On Resistance Rds(on)0.0067ohm
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd515W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation515W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The HUF75652G3 is an UltraFET N-channel Power MOSFET with ultra-low ON-resistance.
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS rating curve
- Simulation models - Temperature compensated PSPICE® & SABER™, thermal impedance SPICE & SABER
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0067ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
515W
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
515W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
