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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQU8P10TUCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark54AH8781
Gama de produtosQFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
On Resistance Rds(on)0.41ohm
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd44W
Power Dissipation44W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.41ohm
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
44W
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
44W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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