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FQP47P06
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQP47P06Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark34C0498
Gama de produtosQFET Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.660 |
| 10+ | $ 2.820 |
| 25+ | $ 2.750 |
| 50+ | $ 2.680 |
| 100+ | $ 2.610 |
| 250+ | $ 2.580 |
| 500+ | $ 2.550 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.66
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQP47P06Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark34C0498
Gama de produtosQFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id47A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd160W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product RangeQFET Series
MSL-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FQP47P06 is a -60V P-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 84nC)
- Low Crss (typical 320pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.94°C/W thermal resistance, junction to case
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
160W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
QFET Series
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
