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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.720 | $ 1.72 |
| Total Preço | $ 1.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.720 |
| 10+ | $ 1.150 |
| 25+ | $ 1.040 |
| 50+ | $ 0.928 |
| 100+ | $ 0.814 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.669 |
| 3000+ | $ 0.648 |
| 6000+ | $ 0.603 |
| 12000+ | $ 0.557 |
| 18000+ | $ 0.542 |
| 30000+ | $ 0.533 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD17P06TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo82C4027
Rodo à Medida84Y9965RL
Segmento de fita84Y9965
Gama de produtosQFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12mA
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12mA
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQD17P06TM
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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