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FQD16N25CTM
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD16N25CTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo04M9364
Rodo à Medida75M2471RL
Segmento de fita75M2471
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.090 | $ 2.09 |
| Total Preço | $ 2.09 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.090 |
| 10+ | $ 1.320 |
| 100+ | $ 0.917 |
| 500+ | $ 0.794 |
| 1000+ | $ 0.750 |
| 2500+ | $ 0.689 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.794 |
| 3000+ | $ 0.779 |
| 6000+ | $ 0.732 |
| 12000+ | $ 0.696 |
| 18000+ | $ 0.660 |
| 30000+ | $ 0.639 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD16N25CTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo04M9364
Rodo à Medida75M2471RL
Segmento de fita75M2471
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd160W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FQD16N25CTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 41nC typical low gate charge
- 68pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
160W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQD16N25CTM
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto