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FQD12N20LTM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD12N20LTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark
Rolo completo82C4012
Rodo à Medida06R2503RL
Segmento de fita06R2503
Seu número de peça
2,275 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.380 | $ 1.38 |
| Total Preço | $ 1.38 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.380 |
| 50+ | $ 0.915 |
| 100+ | $ 0.647 |
| 250+ | $ 0.590 |
| 500+ | $ 0.532 |
| 1000+ | $ 0.496 |
| 2500+ | $ 0.486 |
| 5000+ | $ 0.476 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.504 |
| 7500+ | $ 0.476 |
| 12500+ | $ 0.466 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQD12N20LTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark
Rolo completo82C4012
Rodo à Medida06R2503RL
Segmento de fita06R2503
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTO-252AA
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FQD12N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% Avalanche tested
- 16nC Typical low gate charge
- 17pF Typical low Crss
Aplicações
Power Management, Lighting, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-252AA
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQD12N20LTM
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto