Imprimir página
FQB5N90TM
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 5.4 A, 1.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB5N90TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo82C3970
Segmento de fita84W8878
Seu número de peça
4,800 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Ver o tempo limite
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 800 | $ 2.380 | $ 1,904.00 |
| Total Preço | $ 1,904.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 2.380 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.370 |
| 3000+ | $ 2.260 |
| 6000+ | $ 2.170 |
| 12000+ | $ 2.000 |
| 18000+ | $ 1.950 |
| 30000+ | $ 1.890 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB5N90TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo82C3970
Segmento de fita84W8878
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source On State Resistance1.8ohm
On Resistance Rds(on)1.8ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd158W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation158W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FQB5N90TM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (31nC)
- Low Crss (13pF)
- 100% avalanche tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
1.8ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
158W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
On Resistance Rds(on)
1.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
158W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto