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FQB55N10TM
MOSFET, N CH, 100V, 55A, TO-263AB
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.460 | $ 3.46 |
| Total Preço | $ 3.46 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.460 |
| 10+ | $ 2.080 |
| 25+ | $ 1.900 |
| 50+ | $ 1.700 |
| 100+ | $ 1.510 |
| 250+ | $ 1.340 |
| 500+ | $ 1.150 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 1.080 |
| 1600+ | $ 1.040 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB55N10TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo34C0409
Rodo à Medida46AC0856RL
Segmento de fita46AC0856
Gama de produtosQFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55mA
Drain Source On State Resistance0.026ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd155W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation155W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55mA
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
155W
Power Dissipation
155W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQB55N10TM
2 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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