Imprimir página
FQB55N10
MOSFET, N, D2-PAK
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB55N10Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31M5011RL
Segmento de fita31M5011
Seu número de peça
417 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 2.790 | $ 2.79 |
| Total Preço | $ 2.79 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.790 |
| 10+ | $ 2.460 |
| 25+ | $ 2.220 |
| 50+ | $ 1.990 |
| 100+ | $ 1.730 |
| 250+ | $ 1.480 |
| 500+ | $ 1.350 |
| 1600+ | $ 1.280 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB55N10Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31M5011RL
Segmento de fita31M5011
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation155W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
55A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
155W
Operating Temperature Max
175°C
Documentação técnica (1)
Alternativas para FQB55N10
3 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto