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FQB55N10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB55N10Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31M5011RL
Segmento de fita31M5011
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.790 | $ 2.79 |
| Total Preço | $ 2.79 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.790 |
| 10+ | $ 2.460 |
| 25+ | $ 2.220 |
| 50+ | $ 1.990 |
| 100+ | $ 1.730 |
| 250+ | $ 1.480 |
| 500+ | $ 1.350 |
| 1600+ | $ 1.280 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB55N10Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida31M5011RL
Segmento de fita31M5011
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd155W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation155W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The FQB55N10 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 75nC typical low gate charge
- 130pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
155W
Power Dissipation
155W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Alternativas para FQB55N10
3 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade do produto