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FQB34N20LTM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 31 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB34N20LTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo34C0404
Segmento de fita67P3509
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 800 | $ 3.040 | $ 2,432.00 |
| Total Preço | $ 2,432.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 3.040 |
| 1600+ | $ 2.980 |
| 2400+ | $ 2.920 |
| 4000+ | $ 2.860 |
| 8000+ | $ 2.800 |
| 20000+ | $ 2.740 |
| 40000+ | $ 2.680 |
| 80000+ | $ 2.610 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 2.420 |
| 2400+ | $ 2.370 |
| 4000+ | $ 2.320 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB34N20LTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rolo completo34C0404
Segmento de fita67P3509
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation180W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FQB34N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low level gate drive requirement allowing direct operation from logic drivers
- 100% Avalanche tested
- 55nC Typical low gate charge
- 52pF Typical low Crss
Aplicações
Power Management, Lighting
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
2Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (4)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto