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FQB27P06TM
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 27 A, 70 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB27P06TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rolo completo29X6713
Rodo à Medida58K1517
Segmento de fita58K1517
Seu número de peça
5,624 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.100 | $ 3.10 |
| Total Preço | $ 3.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.100 |
| 10+ | $ 2.120 |
| 25+ | $ 1.930 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.430 |
| 3000+ | $ 1.360 |
| 6000+ | $ 1.310 |
| 12000+ | $ 1.210 |
| 18000+ | $ 1.180 |
| 30000+ | $ 1.140 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB27P06TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rolo completo29X6713
Rodo à Medida58K1517
Segmento de fita58K1517
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd120W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FQB27P06TM is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- 175°C rated junction temperature
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
27A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
120W
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQB27P06TM
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto