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FQB19N20TM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 19.4 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB19N20TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark38C7244
Gama de produtosQFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 1.010 |
| 1600+ | $ 0.974 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 800
Vários: 800
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB19N20TMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark38C7244
Gama de produtosQFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id19.4A
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd140W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeQFET Series
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
140W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.4A
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
QFET Series
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto