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FQB19N20LTM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 21 A, 0.14 ohm, TO-263AB, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB19N20LTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark34C0397
Seu número de peça
13,600 Em Estoque
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.240 |
| 3000+ | $ 1.180 |
| 6000+ | $ 1.130 |
| 12000+ | $ 1.050 |
| 18000+ | $ 1.020 |
| 30000+ | $ 0.989 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 800
Vários: 800
$ 992.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFQB19N20LTMCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark34C0397
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.13W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTO-263AB
Power Dissipation3.13W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FQB19N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 31nC typical low gate charge
- 30pF typical low Crss
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-263AB
No. of Pins
2Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Power Dissipation Pd
3.13W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
3.13W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para FQB19N20LTM
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto