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FFSM1265A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSM1265ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65AC4736RL
Segmento de fita65AC4736
Gama de produtosEliteSiC Series
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18,240 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.680 | $ 4.68 |
| Total Preço | $ 4.68 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.680 |
| 25+ | $ 2.820 |
| 50+ | $ 2.510 |
| 100+ | $ 2.190 |
| 250+ | $ 2.130 |
| 500+ | $ 2.060 |
| 1000+ | $ 1.880 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSM1265ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida65AC4736RL
Segmento de fita65AC4736
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current12A
Total Capacitive Charge40nC
Diode Case StyleQFN
No. of Pins4 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCLead
Descrição geral do produto
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Especificações Técnicas
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
40nC
No. of Pins
4 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
12A
Diode Case Style
QFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto