Imprimir página
FFSB1065B-F085
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSB1065B-F085
Código Newark84AC6673
Gama de produtosEliteSiC Series
Seu número de peça
404 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.950 |
| 10+ | $ 3.690 |
| 25+ | $ 3.390 |
| 50+ | $ 3.090 |
| 100+ | $ 2.790 |
| 250+ | $ 2.670 |
| 500+ | $ 2.540 |
| 1600+ | $ 2.300 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.95
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSB1065B-F085
Código Newark84AC6673
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge25nC
Diode Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
QualificationAEC-Q101
SVHCLead
Descrição geral do produto
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Especificações Técnicas
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
25nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos