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FFSB10120A-F085
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 10 A, 62 nC, TO-263 (D2PAK)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSB10120A-F085Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida84AC6672RL
Segmento de fita84AC6672
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 8.700 | $ 8.70 |
| Total Preço | $ 8.70 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.700 |
| 10+ | $ 5.940 |
| 25+ | $ 5.510 |
| 50+ | $ 5.090 |
| 100+ | $ 4.660 |
| 250+ | $ 4.570 |
| 500+ | $ 4.490 |
| 1600+ | $ 4.350 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSB10120A-F085Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida84AC6672RL
Segmento de fita84AC6672
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge62nC
Diode Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
QualificationAEC-Q101
SVHCLead
Descrição geral do produto
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Especificações Técnicas
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
62nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto