Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDV305NCópia
Código Newark
Rolo completo87X5260
Rodo à Medida82C2601
Segmento de fita82C2601
Seu número de peça
103,301 Em Estoque
Precisa de mais?
1937 Estoque disponivel nos EUA. Prazo de entrega 1-2 semanas. Pedidos feitos antes das 20h EST, Envio padrão.
98364 Produto em estoque no Reino Unido, disponivel para entrega em 2-3 semanas.
Encomendar antes das 20:00, envio normal
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.518 | $ 0.52 |
| Total Preço | $ 0.52 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.518 |
| 25+ | $ 0.330 |
| 50+ | $ 0.275 |
| 100+ | $ 0.220 |
| 250+ | $ 0.196 |
| 500+ | $ 0.172 |
| 1000+ | $ 0.156 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.106 |
| 6000+ | $ 0.101 |
| 12000+ | $ 0.095 |
| 18000+ | $ 0.092 |
| 30000+ | $ 0.088 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDV305NCópia
Código Newark
Rolo completo87X5260
Rodo à Medida82C2601
Segmento de fita82C2601
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id900mA
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd350mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDV305N is a N-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDV305N
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
