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FDV304P
Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDV304PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo87X5259
Rodo à Medida58K1480
Segmento de fita58K1480
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.458 | $ 0.46 |
| Total Preço | $ 0.46 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.458 |
| 25+ | $ 0.292 |
| 50+ | $ 0.239 |
| 100+ | $ 0.186 |
| 250+ | $ 0.173 |
| 500+ | $ 0.159 |
| 1000+ | $ 0.147 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.091 |
| 6000+ | $ 0.088 |
| 12000+ | $ 0.085 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDV304PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo87X5259
Rodo à Medida58K1480
Segmento de fita58K1480
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id460mA
Drain Source On State Resistance1.1ohm
On Resistance Rds(on)1.22ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd350mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max860mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDV303N is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V. FDV303N is designed for battery power applications such as notebook, cellular phones and computers.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Drain to source voltage (Vds) of -25V
- Gate to source voltage of -8V
- Continuous drain current (Id) of -460mA
- Power dissipation (pd) of 350mW
- Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
860mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
460mA
On Resistance Rds(on)
1.22ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDV304P
3 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto