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FDV303N
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDV303NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo04X6278
Rodo à Medida58K8857RL
Segmento de fita58K8857
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.332 | $ 0.33 |
| Total Preço | $ 0.33 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.332 |
| 25+ | $ 0.211 |
| 50+ | $ 0.174 |
| 100+ | $ 0.136 |
| 250+ | $ 0.120 |
| 500+ | $ 0.103 |
| 1000+ | $ 0.093 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.062 |
| 6000+ | $ 0.058 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDV303NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo04X6278
Rodo à Medida58K8857RL
Segmento de fita58K8857
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id680mA
On Resistance Rds(on)0.33ohm
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd350mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDV303N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V and designed for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NHM cells, inverters, high efficiency miniature discrete DC/DC conversion in electronic devices like cellular phones and pagers.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 680mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 330mohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
0.33ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
680mA
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Power Dissipation Pd
350mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDV303N
1 produto encontrado
Produtos associados
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto