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FDT86113LZ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDT86113LZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo54T8362
Rodo à Medida88T3370RL
Segmento de fita88T3370
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.520 | $ 1.52 |
| Total Preço | $ 1.52 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.520 |
| 10+ | $ 0.960 |
| 25+ | $ 0.853 |
| 50+ | $ 0.746 |
| 100+ | $ 0.639 |
| 250+ | $ 0.570 |
| 500+ | $ 0.501 |
| 1000+ | $ 0.456 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.626 |
| 6000+ | $ 0.588 |
| 12000+ | $ 0.559 |
| 18000+ | $ 0.530 |
| 30000+ | $ 0.513 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDT86113LZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo54T8362
Rodo à Medida88T3370RL
Segmento de fita88T3370
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.2W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDT86113LZ is a N-channel Logic Level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been special tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
- <gt/>3KV typical HBM ESD protection level
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.2W
Power Dissipation
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDT86113LZ
1 produto encontrado
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto