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FDS9958
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS9958Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark78M0965
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 30 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.701 |
| 3000+ | $ 0.679 |
| 6000+ | $ 0.631 |
| 12000+ | $ 0.583 |
| 18000+ | $ 0.567 |
| 30000+ | $ 0.558 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,752.50
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS9958Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark78M0965
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel2.9A
Continuous Drain Current Id P Channel2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.082ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.082ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS9958 is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for portable electronics applications like load switching and power management, battery charging and protection circuits.
- ±20V Gate to source voltage
- -2.9A Continuous drain current
- -12A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.082ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.082ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto