Imprimir página
FDS9945
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS9945Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2083
Rodo à Medida78K5952RL
Segmento de fita78K5952
Seu número de peça
51 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.240 | $ 1.24 |
| Total Preço | $ 1.24 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.240 |
| 50+ | $ 0.801 |
| 100+ | $ 0.555 |
| 250+ | $ 0.502 |
| 500+ | $ 0.449 |
| 1000+ | $ 0.415 |
| 2500+ | $ 0.407 |
| 5000+ | $ 0.398 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.274 |
| 5000+ | $ 0.263 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS9945Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2083
Rodo à Medida78K5952RL
Segmento de fita78K5952
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS9945 is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It offers faster switching and lower gate charge than other MOSFET with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Low gate charge
- Very fast switching
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDS9945
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
