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FDS8949
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS8949Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo20M1185
Rodo à Medida76M7885RL
Segmento de fita76M7885
Seu número de peça
9,017 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.580 | $ 1.58 |
| Total Preço | $ 1.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.580 |
| 50+ | $ 1.040 |
| 100+ | $ 0.733 |
| 250+ | $ 0.667 |
| 500+ | $ 0.600 |
| 1000+ | $ 0.557 |
| 2500+ | $ 0.546 |
| 5000+ | $ 0.535 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.367 |
| 5000+ | $ 0.352 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS8949Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo20M1185
Rodo à Medida76M7885RL
Segmento de fita76M7885
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS8949 is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Aplicações
Industrial, Power Management
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDS8949
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
