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FDS89161LZ
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS89161LZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rolo completo54T8361
Rodo à Medida46AC0812RL
Segmento de fita46AC0812
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.440 | $ 2.44 |
| Total Preço | $ 2.44 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.440 |
| 50+ | $ 1.640 |
| 100+ | $ 1.180 |
| 250+ | $ 1.080 |
| 500+ | $ 0.981 |
| 1000+ | $ 0.918 |
| 2500+ | $ 0.900 |
| 5000+ | $ 0.881 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.010 |
| 3000+ | $ 0.977 |
| 6000+ | $ 0.909 |
| 12000+ | $ 0.840 |
| 18000+ | $ 0.817 |
| 30000+ | $ 0.803 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS89161LZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rolo completo54T8361
Rodo à Medida46AC0812RL
Segmento de fita46AC0812
Ficha técnica
Channel TypeN Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id N Channel2.7A
Continuous Drain Current Id P Channel2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.105ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.105ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.105ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.7A
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.105ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDS89161LZ
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto