Imprimir página
FDS8880
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS8880Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo64K0986
Segmento de fita75M2468
Seu número de peça
8 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Disponível conforme quantidade indicadaPara solicitar uma quantidade maior do que a exibida no inventário, entre em contato com o departamento de vendas
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.270 | $ 1.27 |
| Total Preço | $ 1.27 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.270 |
| 50+ | $ 0.837 |
| 100+ | $ 0.589 |
| 250+ | $ 0.536 |
| 500+ | $ 0.482 |
| 1000+ | $ 0.472 |
| 2500+ | $ 0.463 |
| 5000+ | $ 0.453 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.472 |
| 7500+ | $ 0.465 |
| 12500+ | $ 0.438 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS8880Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo64K0986
Segmento de fita75M2468
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id11.6A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
On Resistance Rds(on)0.0079ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS8880 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Low gate charge
- High power and current handling capability
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.6A
On Resistance Rds(on)
0.0079ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos