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FDS86540
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS86540Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo46W4335
Rodo à Medida55W4091RL
Segmento de fita55W4091
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.720 | $ 4.72 |
| Total Preço | $ 4.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.720 |
| 10+ | $ 3.070 |
| 25+ | $ 2.840 |
| 50+ | $ 2.630 |
| 100+ | $ 2.400 |
| 250+ | $ 2.200 |
| 500+ | $ 2.010 |
| 1000+ | $ 1.860 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.570 |
| 3000+ | $ 2.450 |
| 6000+ | $ 2.350 |
| 12000+ | $ 2.170 |
| 18000+ | $ 2.110 |
| 30000+ | $ 2.050 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS86540Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo46W4335
Rodo à Medida55W4091RL
Segmento de fita55W4091
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance3700µohm
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS86540 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON), fast switching speed and body diode reverse recovery performance. It is suitable for synchronous rectifier and load switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3700µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDS86540
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto