Imprimir página
FDS8447
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS8447Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo30M0750
Rodo à Medida67P3490RL
Segmento de fita67P3490
Seu número de peça
96 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.200 | $ 1.20 |
| Total Preço | $ 1.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.200 |
| 10+ | $ 0.764 |
| 25+ | $ 0.711 |
| 50+ | $ 0.658 |
| 100+ | $ 0.605 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.373 |
| 3000+ | $ 0.366 |
| 6000+ | $ 0.344 |
| 12000+ | $ 0.327 |
| 18000+ | $ 0.310 |
| 30000+ | $ 0.300 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS8447Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo30M0750
Rodo à Medida67P3490RL
Segmento de fita67P3490
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id12.8A
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS8447 is a single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.8A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDS8447
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto