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FDS6975
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6975Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo71P5229
Rodo à Medida38C7178
Segmento de fita38C7178
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 15 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 2500 | $ 0.819 | $ 2,047.50 |
| Total Preço | $ 2,047.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.819 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.874 |
| 3000+ | $ 0.846 |
| 6000+ | $ 0.786 |
| 12000+ | $ 0.727 |
| 18000+ | $ 0.707 |
| 30000+ | $ 0.695 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6975Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rolo completo71P5229
Rodo à Medida38C7178
Segmento de fita38C7178
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS6975 is a dual P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for notebook computer applications load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Aplicações
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
