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FDS6898A
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 9.4 A, 9.4 A, 0.01 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6898ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark54K3604
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.441 |
| 5000+ | $ 0.424 |
| 10000+ | $ 0.408 |
| 15000+ | $ 0.407 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,102.50
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6898ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark54K3604
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id9.4A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel9.4A
Continuous Drain Current Id P Channel9.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS6898A is a dual N-channel logic level PWM optimized MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
9.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para FDS6898A
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
