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FDS6875
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6875Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo66K6764
Rodo à Medida38C7173
Segmento de fita38C7173
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 18 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 2500 | $ 0.898 | $ 2,245.00 |
| Total Preço | $ 2,245.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.898 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.860 |
| 3000+ | $ 0.832 |
| 6000+ | $ 0.774 |
| 12000+ | $ 0.715 |
| 18000+ | $ 0.695 |
| 30000+ | $ 0.684 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6875Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo66K6764
Rodo à Medida38C7173
Segmento de fita38C7173
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS6875 is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics like load switching, battery charging and protection circuits applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±8V Gate to source voltage
- -6A Continuous drain current
- -20A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto