Imprimir página
FDS6679AZ
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6679AZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1387
Rodo à Medida75M2466RL
Segmento de fita75M2466
Seu número de peça
193,656 Em Estoque
Precisa de mais?
8656 Estoque disponivel nos EUA. Prazo de entrega 1-2 semanas. Pedidos feitos antes das 20h EST, Envio padrão.
92500 Produto em estoque no Reino Unido, disponivel para entrega em 2-3 semanas.
Encomendar antes das 20:00, envio normal
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.640 | $ 1.64 |
| Total Preço | $ 1.64 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.640 |
| 10+ | $ 0.973 |
| 25+ | $ 0.904 |
| 50+ | $ 0.835 |
| 100+ | $ 0.766 |
| 250+ | $ 0.693 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.400 |
| 5000+ | $ 0.384 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6679AZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86K1387
Rodo à Medida75M2466RL
Segmento de fita75M2466
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
On Resistance Rds(on)0.0077ohm
Drain Source On State Resistance0.0077ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS6679AZ is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 6kV typical HBM ESD protection level
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Drain Source On State Resistance
0.0077ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDS6679AZ
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto