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FDS6575
MOSFET, P CH, -20V, -10A, SOIC
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS6575Cópia
Código Newark95W3181
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.0085ohm
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para FDS6575
2 produtos encontrados
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0085ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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