Imprimir página
FDS4935A
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 7 A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4935ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark67R2070
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 17 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.659 |
| 3000+ | $ 0.638 |
| 6000+ | $ 0.593 |
| 12000+ | $ 0.548 |
| 18000+ | $ 0.533 |
| 30000+ | $ 0.524 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,647.50
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4935ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark67R2070
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- -7A Continuous drain current
- -30A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDS4935A
2 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto