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FDS4501H
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.014 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4501HCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78K5932RL
Segmento de fita78K5932
Seu número de peça
380 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.890 | $ 1.89 |
| Total Preço | $ 1.89 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.890 |
| 50+ | $ 1.210 |
| 100+ | $ 0.819 |
| 250+ | $ 0.735 |
| 500+ | $ 0.651 |
| 1000+ | $ 0.597 |
| 2500+ | $ 0.585 |
| 5000+ | $ 0.573 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4501HCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante101 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78K5932RL
Segmento de fita78K5932
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id9.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel9.3A
Continuous Drain Current Id P Channel9.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Descrição geral do produto
The FDS4501H is a PowerTrench® N/P-channel complementary half-bridge MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. The device is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and battery protection applications.
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
9.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto
