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FDS4480
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 10.8 A, 0.008 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4480Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark78K5931
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.734 |
| 3000+ | $ 0.711 |
| 6000+ | $ 0.661 |
| 12000+ | $ 0.611 |
| 18000+ | $ 0.594 |
| 30000+ | $ 0.584 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,835.00
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4480Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark78K5931
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id10.8A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
FDS4480 is a 40V N-channel power Trench® MOSFET. This N-channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed. It is ideal for DC/DC converter application.
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
- Drain-source avalanche energy is 240mJ max at (single pulse, VDD=40V, ID=10.8A)
- Breakdown voltage temperature coefficient is 42mV/°C typ at (ID = 250mA, referenced to 25°C)
- Gate- body leakage, forward current is 100nA max at (VGS = 30V, VDS = 0V)
- Gate threshold voltage is 3.9V typ at (VDS = VGS, ID = 250mA)
- Static drain-source on–resistance is 8Mohm typ at (VGS = 10V, ID = 10.8A)
- Input capacitance is 1686pF typ at (VDS = 20V, V GS = 0V, f = 1.0MHz)
- Total gate charge is 29nC typ at (VDS = 20V, ID = 10.8A, VGS = 10V)
- Operating temperature range from -55°C to +175°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto