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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.470 |
| 10+ | $ 2.070 |
| 100+ | $ 1.810 |
| 500+ | $ 1.770 |
| 1000+ | $ 1.740 |
| 2500+ | $ 1.700 |
| 5000+ | $ 1.670 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDPF12N60NZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante61 semanas
Código Newark54AH8651
Gama de produtosUniFET II
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.53ohm
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation39W
Power Dissipation Pd39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET II
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.53ohm
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET II
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDPF12N60NZ
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos