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FDP2532.
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.500 |
| 10+ | $ 4.720 |
| 25+ | $ 3.940 |
| 50+ | $ 3.100 |
| 100+ | $ 2.880 |
| 250+ | $ 2.680 |
| 500+ | $ 2.490 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.50
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDP2532.Cópia
Código Newark15AC2931
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd310W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The FDP2532 is a PowerTrench® N-channel MOSFET suitable for synchronous rectification, battery protection circuit, uninterruptible power supplies and micro solar inverter.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
310W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
79A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (1)
Alternativas para FDP2532.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto