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FDN5618P
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN5618PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2065
Rodo à Medida58K8844RL
Segmento de fita58K8844
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.783 | $ 0.78 |
| Total Preço | $ 0.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.783 |
| 25+ | $ 0.482 |
| 50+ | $ 0.396 |
| 100+ | $ 0.309 |
| 250+ | $ 0.272 |
| 500+ | $ 0.235 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.196 |
| 6000+ | $ 0.171 |
| 12000+ | $ 0.152 |
| 18000+ | $ 0.141 |
| 30000+ | $ 0.128 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN5618PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2065
Rodo à Medida58K8844RL
Segmento de fita58K8844
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.25A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDN5618P is a surface mount, 60V P channel logic level powerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for DC-DC converters, load switch and power management applications.
- High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -1.25A
- Power dissipation (pd) of 500mW
- Low on state resistance of 185mohm at Vgs -4.5V
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.25A
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
