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FDN360P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SuperSOT, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN360PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida58K1466RL
Segmento de fita58K1466
Seu número de peça
3,269 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.676 | $ 0.68 |
| Total Preço | $ 0.68 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.676 |
| 50+ | $ 0.418 |
| 100+ | $ 0.268 |
| 250+ | $ 0.236 |
| 500+ | $ 0.203 |
| 1000+ | $ 0.182 |
| 2500+ | $ 0.178 |
| 5000+ | $ 0.175 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN360PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida58K1466RL
Segmento de fita58K1466
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max20V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDN360P is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
- High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
- Low gate charge typically 6.2nC
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
- Power dissipation (Pd) of 500mW
- Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
20V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDN360P
2 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
