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FDN335N
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 70 mohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN335NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2057
Rodo à Medida58K1462RL
Segmento de fita58K1462
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.731 | $ 0.73 |
| Total Preço | $ 0.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.731 |
| 25+ | $ 0.450 |
| 50+ | $ 0.370 |
| 100+ | $ 0.289 |
| 250+ | $ 0.255 |
| 500+ | $ 0.220 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.196 |
| 6000+ | $ 0.171 |
| 12000+ | $ 0.152 |
| 18000+ | $ 0.140 |
| 30000+ | $ 0.128 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDN335NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark
Rolo completo67R2057
Rodo à Medida58K1462RL
Segmento de fita58K1462
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.7A
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The FDN335N is a N-channel 2.5V specified MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Low gate threshold voltage
- High performance trench technology for extremely low RDS
- High power and current handling capability
Aplicações
Power Management, Industrial
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para FDN335N
2 produtos encontrados
Produtos associados
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto